BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-06-21
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
max
310 mW
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
±0.1
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
per diode / pro Diode
Power dissipation – Verlustleistung
1
)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤
1 s
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
2.5
1.3
Type
Code
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BAS40-series
310 mW
2
)
200 mA
2
)
300 mA
2
)
0.6 A
40 V
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
3
)
Durchlass-Spannung
3
)
Leakage current
Sperrstrom
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
I
F
= 10 mA über/through I
R
= 10 mA bis/to I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 40 mA
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
thA
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 380 mV
< 500 mV
< 1.00 V
< 200 nA
< 10 µA
5 pF
< 5 ns
< 400 K/W
2
)
1
2
3
Total power dissipation of both diodes
−
Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
