BAV99W
Small Signal Si-Diodes
Surface mount Small Signal Double-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-04-09
Power dissipation – Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200 mW
70 V
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
2.1
±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
2
1.3
Dimensions / Maße in mm
1 = A1 2 = K1/A2 3 = K2
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
per diode / pro Diode
Power dissipation – Verlustleistung
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤
1 s
t
p
≤
1 ms
t
p
≤
1 µs
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BAV99W
200 mW
1
)
200 mA
1
)
300 mA
1
)
0.5 A
1A
2A
70 V
150°C
- 55…+ 150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage - Durchlaßspannung
2
)
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 715 mV
< 855 mV
<1V
< 1.25 V
< 30 nA
2.5 µA
< 30 µA
< 50 µA
Leakage current - Sperrstrom
2
)
V
R
= 25 V
V
R
= 70 V
V
R
= 25 V
V
R
= 70 V
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
1
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
