BC 807W / BC 808W
PNP
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
225 mW
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
2
1.3
Dimensions / Maße in mm
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
B shorted
E open
C open
- V
CE0
- V
CES
- V
CB0
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
2.1
±0.1
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 807W
45 V
50 V
50 V
5V
225 mW
1
)
500 mA
1000 mA
200 mA
1000 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 808W
25 V
30 V
30 V
Characteristics, T
j
= 25
/
C
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
BC807W
BC808W
Group -16W
Group -25W
Group -40W
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
40
100
160
250
Kennwerte, T
j
= 25
/
C
Typ.
–
–
160
250
400
Max.
600
–
250
400
600
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
01.11.2003
4
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
