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BC848 参数 Datasheet PDF下载

BC848图片预览
型号: BC848
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内容描述: 表面贴装通用硅外延平面型晶体管 [Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 97 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BC848的Datasheet PDF文件第2页  
BC846 ... BC850
BC846 ... BC850
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
1.1
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2011-07-07
Plastic case
Kunststoffgehäuse
±0.1
Type
Code
1
1.9
2
2.5 max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC846
BC847
BC850
45 V
50 V
6V
250 mW
)
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
BC848
BC849
30 V
30 V
5V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
I
CM
T
j
T
S
65 V
80 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 µA
Group A
Group B
Group C
Group A
Group B
Group C
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEsat
V
CEsat
V
BEsat
V
BEsat
110
200
420
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
90
150
270
180
290
520
90 mV
200 mV
700 mV
900 mV
Max.
220
450
800
250 mV
600 mV
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1