BC 856W ... BC 860W
PNP
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
200 mW
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
2
1.3
Dimensions / Maße in mm
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
BC 856W
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
2.1
±0.1
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 857W
BC 860W
45 V
50 V
5V
200 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 858W
BC 859W
30 V
30 V
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Group A
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
h
FE
h
FE
typ. 90
110...220
typ. 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 *10
-4
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Group B
typ. 150
200...450
typ. 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
typ. 2 *10
-4
Group C
typ. 270
420...800
typ. 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
typ. 3 *10
-4
h-Parameters at - V
CE
= 5V, - I
C
= 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Stromverstärkung h
fe
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
1
h
ie
h
oe
h
re
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
16
01.11.2003
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
