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BC857S 参数 Datasheet PDF下载

BC857S图片预览
型号: BC857S
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内容描述: 表面贴装通用硅外延平面双晶体管 [Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Double-Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 109 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BC857S的Datasheet PDF文件第2页  
BC856S ... BC859S
BC856S ... BC859S
PNP
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Double-Transistors
Si-Epi-Planar Universal-Doppeltransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation
Verlustleistung
1.25
±0.1
PNP
300 mW
SOT-363
0.01 g
Version 2006-08-01
2
6
±0.1
2 x 0.65
5
4
0.9
±0.1
2.1
Type
Code
1
2
3
±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
2.4
Dimensions - Maße [mm]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
per transistor – pro Transistor
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E open
C open
- V
CBO
- V
CEO
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC856S
65 V
80 V
BC857S
45 V
50 V
5V
300 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
BC858S
BC859S
30 V
30 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
per transistor – pro Transistor
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 10 µA
- V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA
h-Parameters at/bei - V
CE
= 5 V, - I
C
= 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverser voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
1.6 kΩ
18 µS
h
FE
h
FE
110
Min.
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
90 ... 270
220 ... 600
1.5 ... 3*10
-4
Max.
800
15 kΩ
110 µS
1
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1