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BCP51 参数 Datasheet PDF下载

BCP51图片预览
型号: BCP51
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内容描述: 表面贴装硅外延PlanarTransistors [Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 130 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BCP51的Datasheet PDF文件第2页  
BCP 51, BCP 52, BCP 53
PNP
General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.3 W
SOT-223
0.04 g
Plastic case
Kunststoffgehäuse
3.5
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1
0.7
2.3
2
3
3.25
Dimensions / Maße in mm
1 = B 2, 4 = C 3 = E
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
BCP 51
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Koll.-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
45 V
45 V
7
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BCP 52
60 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
1A
1.5 A
200 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCP 53
80 V
100 V
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V, T
j
= 125
/
C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
- I
C
= 500 mA, - I
B
= 50 mA
- I
EB0
- V
CEsat
- I
CB0
- I
CB0
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
Max.
100 nA
10
:
A
100 nA
500 mV
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg.
2
)
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
24
01.11.2003
1