BCW31 ... BCW33
BCW31 ... BCW33
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2006-07-28
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Type
Code
1
1.9
2
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
2.5 max
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BCW31
BCW32
32 V
32 V
5V
250 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
BCW33
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 µA
BCW31
BCW32
BCW33
BCW31
BCW32
BCW33
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEsat
V
CEsat
–
–
–
110
200
420
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
90
150
270
–
–
–
120 mV
210 mV
Max.
–
–
–
220
450
800
250 mV
–
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
