BF 720, BF 722
NPN
High Voltage Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.5 W
SOT-223
0.04 g
Plastic case
Kunststoffgehäuse
3.5
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1
0.7
2.3
2
3
3.25
Dimensions / Maße in mm
1 = B 2, 4 = C 3 = E
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
7
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BF 720
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
300 V
300 V
5V
1.5 W
1
)
100 mA
200 mA
100 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BF 722
250 V
250 V
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 200 V
I
E
= 0, V
CB
= 200 V, T
j
= 150
/
C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 30 mA, I
B
= 5 mA
I
EB0
V
CEsat
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
–
–
–
–
Max.
10 nA
10
:
A
50 nA
600 mV
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg.
2
)
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
10
01.11.2003
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
