DAN 801 / DAP 801 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150
/
C
– 50…+150
/
C
Kennwerte
T
j
= 25
/
C
T
j
= 25
/
C
I
F
= 10 mA
V
R
= 20 V
V
F
I
R
t
rr
R
thA
< 1.0 V
< 25 nA
< 4 ns
< 85 K/W
1
)
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 10 mA through/über
I
R
= 10 mA to/auf I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
28.02.2002
1
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DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
