DAN 801 / DAP 801 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150ꢀC
TS – 50…+150ꢀC
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
Tj = 25ꢀC
Tj = 25ꢀC
IF = 10 mA
VR = 20 V
VF
IR
< 1.0 V
< 25 nA
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
trr
< 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 85 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
)
Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
365
28.02.2002
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
