MMBT2222 / MMBT2222A
MMBT2222 / MMBT2222A
NPN
Version 2006-05-15
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Type
Code
1
1.9
2
2.5 max
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBT2222
30 V
60 V
5V
250 mW
1
)
600 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBT2222A
40 V
75 V
6V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
0.1 mA,
1 mA,
10 mA,
150 mA,
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
10
10
10
10
V
V
V
V
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
fe
h
fe
h
ie
h
ie
h
oe
h
oe
35
50
75
100
30
40
50
75
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Max.
–
–
–
300
–
–
300
375
8 kΩ
1.25 kΩ
35 µS
200 µS
I
C
= 500 mA,
V
CE
= 10 V
2
)
h-Parameters at/bei V
CE
= 10 V, f = 1 kHz, I
C
= 1 mA / 10 mA
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
2 kΩ
0.25 kΩ
5 µS
25 µS
Characteristics (T
j
= 25°C)
1
2
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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