MMBTA05 / MMBTA06
MMBTA05 / MMBTA06
NPN
Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors
Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation
Verlustleistung
1.3
±0.1
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2007-06-25
1.1
2.9
±0.1
0.4
3
Type
Code
1
2
2.5
max
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Base current – Basisstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
I
B
I
BM
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBTA05
60 V
60 V
4V
250 mW
)
500 mA
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBTA06
80 V
80 V
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 80 V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
)
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
1
2
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
Max.
100 nA
100 nA
100 nA
250 mV
1.2 V
MMBTA05
MMBTA06
I
CB0
I
CB0
I
EB0
V
CEsat
V
BEsat
–
–
–
–
–
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
