MMBTA55 ... MMBTA56
MMBTA55 ... MMBTA56
PNP
Version 2006-08-09
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
Type
Code
1
2
2.5
max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Base current – Basisstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
P
tot
- I
C
- I
B
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBTA55
60 V
60 V
4V
250 mW
1
)
500 mA
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBTA56
80 V
80 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
- I
C
= 10 mA, - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100 mA, - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 10 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
- I
C
= 100 mA, - V
CE
= 1 V
- V
BE
–
h
FE
h
FE
- V
CEsat
100
100
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
Max.
–
–
0.25 V
1.2 V
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
