MMBTA92 / MMBTA93
MMBTA92 / MMBTA93
PNP
Version 2005-06-21
1.1
Surface mount High Voltage Transistors
Hochspannungs-Transistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation
Verlustleistung
±0.1
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
Type
Code
1
2
2.5
max
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
P
tot
- I
C
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBTA92
300 V
300 V
5V
250 mW
1
)
500 mA
-65...+150°C
-65…+150°C
MMBTA93
200 V
200 V
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 200 V
I
E
= 0, - V
CB
= 160 V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 3 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 20 mA, - I
B
= 2 mA
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
- I
C
= 20 mA, - I
B
= 2 mA
- V
BEsat
–
- V
CEsat
–
- I
EB0
–
MMBTA92
MMBTA93
- I
CB0
- I
CB0
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
Max.
250 nA
250 nA
100 nA
500 mV
900 mV
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
