MPSA55 ... MPSA56
MPSA55 ... MPSA56
PNP
Version 2006-07-25
Power dissipation
Verlustleistung
E BC
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
PNP
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
18
9
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- V
CEO
- V
CBO
- V
EBO
P
tot
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MPSA55
60 V
60 V
4V
625 mW
1
)
500 mA
1A
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
MPSA56
80 V
80 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2
)
- I
C
= 10 mA, - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100 mA, - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100 mA, - I
B
= 10 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
2
)
- I
C
= 100 mA, - V
CE
= 1 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- V
CB
= 60 V, (E open)
- V
CB
= 80 V, (E open)
MPSA55
MPSA56
- I
CBO
- I
CBO
–
–
- V
BE
–
h
FE
h
FE
- V
CEsat
100
100
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–
–
–
–
–
–
Max.
–
–
0.25 V
1.2 V
100 nA
100 nA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.
2
)
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1