MPSA55 参数 Datasheet PDF下载

MPSA55 ... MPSA56

MPSA55 ... MPSA56

PNP

Version 2006-07-25

Power dissipation

Verlustleistung

E BC

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

625 mW

TO-92

(10D3)

0.18 g

16

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

18

9

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

2 x 2.54

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings (T

A

= 25°C)

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

E open

C open

- V

CEO

- V

CBO

- V

EBO

P

tot

- I

C

- I

CM

- I

BM

T

j

T

S

Grenzwerte (T

A

= 25°C)

MPSA55

60 V

60 V

4V

625 mW

1

)

500 mA

1A

200 mA

-55...+150°C

-55…+150°C

MPSA56

80 V

80 V

Characteristics (T

j

= 25°C)

Min.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

2

)

- I

C

= 10 mA, - V

CE

= 1 V

- I

C

= 100 mA, - V

CE

= 1 V

- I

C

= 100 mA, - I

B

= 10 mA

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

2

)

- I

C

= 100 mA, - V

CE

= 1 V

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

- V

CB

= 60 V, (E open)

- V

CB

= 80 V, (E open)

MPSA55

MPSA56

- I

CBO

- I

CBO

–

–

- V

BE

–

h

FE

h

FE

- V

CEsat

100

100

–

Kennwerte (T

j

= 25°C)

Typ.

–

–

–

–

–

–

Max.

–

–

0.25 V

1.2 V

100 nA

100 nA

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg.

2

)

1

2

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses t

p

= 300 µs, duty cycle

≤

2% – Gemessen mit Impulsen t

p

= 300 µs, Schaltverhältnis

≤

2%

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

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