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TIP32 参数 Datasheet PDF下载

TIP32图片预览
型号: TIP32
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内容描述: 硅外延PlanarTransistors [Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号TIP32的Datasheet PDF文件第2页  
TIP32, TIP32A ... C
PNP
Version 2004-06-29
General Purpose Transistors
Si-Epitaxial PlanarTransistors
PNP
Collector current – Kollektorstrom
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1=B
2=C
3=E
3A
TO-220AB
2.2 g
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
TIP32
Collector-Emitter-voltage
Collector-Emitter-voltage
Emitter-Base-voltage
without cooling – ohne Kühlung
with cooling – mit Kühlung
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
TIP32A
60 V
60 V
5V
2 W
1
)
40 W
3 A (dc)
5A
1A
150°C
- 65…+ 150°C
TIP32B
80 V
80 V
TIP32C
100 V
100 V
- V
CE0
- V
EB0
P
tot
40 V
40 V
B open
C open
B shorted - V
CES
Power dissipation – Verlustleistung
T
C
=25°C P
tot
- I
C
- I
CM
- I
B
T
j
T
S
Collector current – Kollektorstrom
Peak Collector current
Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom
Junction temp. – Sperrschichttemp.
Storage temp. – Lagerungstemperatur
Characteristics, T
j
= 25°C
Min.
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
- I
C
= 3 A, - I
B
= 375 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
- V
CE
= 4 V, - I
C
= 3 A
- V
CE
= 4 V, - I
C
= 1 A
- V
CE
= 4 V, - I
C
= 3 A
1
Kennwerte, T
j
= 25°C
Typ.
Max.
1.2 V
1.8
50
- V
CEsat
- V
BEon
h
FE
h
FE
25
10
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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