US1A ... US1M
US1A ... US1M
Ultrafast Switching Surface Mount Si-Diodes
Ultraschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-04-18
Nominal current – Nennstrom
5
± 0.2
± 0.2
± 0.1
1A
50...1000 V
~ SMA
~ DO-214AC
0.07 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
2.2
1
2.7
+ 0.1
0.15
Type
Typ
4.6
± 0.2
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
US1A
US1B
US1D
US1G
US1J
US1K
US1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
T
= 100°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
1.5
2.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
1A
6 A
1
)
30 A
4.5 A
2
s
-50...+150°C
-50...+150°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
T
j
1
Max. temperature of the terminals T
T
= 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse T
T
= 100°C
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© Diotec Semiconductor AG
1