1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448
硅平面二极管
Silizium平面， Dioden
额定电流
Nennstrom
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
玻璃柜
Glasgehäuse
重量约。
Gewicht约
尺寸/集体单位为毫米
150 ... 300毫安
50…100 V
DO-35
SOD-27
0.13 g
参见第16页
世赫页首16
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值
TYPE
典型值
1N 4148
1N 4150
1N 4151
1N 4448
反向电压
Sperrspannung
V
RM
[V]
75
50
50
75
Grenzwerte
反向击穿电压
Abbruchspannung
V
RRM
[V]
1
)
100
50
75
100
1N 4148
1N 4448
马克斯。正向平均整流电流， R-负荷
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
非重复性峰值FWD 。当前
Stoßstrom Grenzwert
马克斯。功耗
马克斯。 Verlustleistung
t
p
= 1
:
s
T
j
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
j
T
S
150毫安
2
)
500毫安
2
)
2000毫安
1N 4150
300毫安
2
)
600毫安
2
)
4000毫安
500毫瓦
2
)
- 50…+ 200
/
C
- 50…+ 200
/
C
1N 4151
200毫安
2
)
500毫安
2
)
2000毫安
工作结点温度。 - Sperrschichttemp 。
储存温度 - Lagerungstemperatur
1
2
34
）测试100
:
脉冲A - Gemessen麻省理工学院100
:
A- Impulsen
）有效，如果引线被保持在T
A
= 25
/
下以从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschlußdrähte在5毫米Abstand冯Gehäuse奥夫牛逼
A
= 25
/
Ç gehalten werden
01.10.2002
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
