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2N3903 参数 Datasheet PDF下载

2N3903图片预览
型号: 2N3903
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内容描述: 硅外延PlanarTransistors [Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2N3903的Datasheet PDF文件第2页  
2N3903, 2N3904
NPN
版本2004-01-20
开关晶体管
硅外延PlanarTransistors
NPN
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
标准包装录音中的弹药盒
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CE0
V
EB0
P
合计
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
2N3903, 2N3904
40 V
60 V
6V
625毫瓦
1
)
600毫安
150
/
C
- 55…+ 150
/
C
特性(T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspannung
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
集电极截止电流 - Kollektorreststrom
V
CE
= 30 V, V
EB
= 3 V
发射极截止电流 - Emitterreststrom
V
CE
= 30 V, V
EB
= 3 V
I
EBV
I
CEV
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
200毫伏
300毫伏
850毫伏
950毫伏
50 nA的
50 nA的
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
1
)有效,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ,德恩死Anschlußdrähte在2毫米Abstand冯Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
30