BAS40 ， BAS40-04 ， BAS40-05 ， BAS40-06
BAS40 ， BAS40-04 ， BAS40-05 ， BAS40-06
表面贴装肖特基单/双二极管
肖特基势垒Einzel- / Doppel - Dioden献给死去Oberflächenmontage
版本2005-06-21
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
最大
310毫瓦
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
±0.1
1
2
1.9
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个二极管/二极管亲
功耗 - Verlustleistung
1
)
马克斯。平均正向电流（ DC ）
Dauergrenzstrom
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
不重复峰值正向浪涌电流
Stoßstrom - Grenzwert
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
t
p
≤
1 s
P
合计
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
2.5
1.3
TYPE
CODE
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BAS40-series
310毫瓦
2
)
200毫安
2
)
300毫安
2
)
0.6 A
40 V
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
正向电压
3
)
Durchlass - Spannung
3
)
漏电流
Sperrstrom
马克斯。结电容 - 马克斯。 Sperrschichtkapazität
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
反向恢复时间 - Sperrverzug
I
F
= 10毫安尤伯杯/经过我
R
= 10毫安双/到我
R
= 1毫安
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 40毫安
V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
C
T
t
rr
R
THA
Kennwerte （T
j
= 25°C)
< 380毫伏
< 500毫伏
< 1.00 V
< 200 nA的
< 10 μA
5 pF的
＆ LT ; 5纳秒
< 400 K / W
2
)
1
2
3
两个二极管的总功耗
−
郑树森德Verlustleistungen beider Dioden
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲TP = 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
