BAS70 ...- 04 ...- 05 ...- 06
肖特基二极管
表面贴装肖特基势垒单/双二极管
肖特基势垒Einzel- / Doppel - Dioden献给死去Oberflächenmontage
版本2004-04-09
功耗
Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
310毫瓦
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
2.5
最大
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
1.9
尺寸/集体单位为毫米
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
每个二极管/二极管亲
功耗 - Verlustleistung
马克斯。平均正向电流（ DC ）
Dauergrenzstrom
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
峰值正向浪涌电流T
p
#
1 s
Stoßstrom - Grenzwert
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
P
合计
I
FAV
I
FRM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BAS70-series
310毫瓦
1
)
200毫安
1
)
300毫安
1
)
500毫安
70 V
150
/
C
- 55…+ 150
/
C
特性（T
j
= 25
/
C)
正向电压 - Durchlaßspannung
2
)
漏电流 - Sperrstrom
2
)
I
F
= 1毫安
I
F
= 15毫安
V
R
= 50 V
V
F
V
F
I
R
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
< 410毫伏
< 1000毫伏
< 100 nA的
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhältnis
#
2%
1
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
