公元前546年公元前... 549
NPN
硅外延PlanarTransistors
通用晶体管
NPN
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前546年
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
B短路
ê开放
c打开
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
85 V
80 V
6V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
公元前547
45 V
50 V
50 V
6V
500毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 549分之548
30 V
30 V
30 V
5V
特性，T
j
= 25
/
C
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 100毫安
H-参数在V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Stromverst 。
输入阻抗 - Eingangsimpedanz
输出导纳 - Ausgangsleitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
h
FE
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110...220
（典型值） 。 120
Kennwerte ，T
j
= 25
/
C
B组
（典型值） 。 150
200...450
（典型值） 。 200
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
C组
（典型值） 。 270
420...800
typ.400
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschlußdrähte在2毫米Abstand冯Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
6
01.11.2003
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
