公元前556 ...公元前559
PNP
硅外延PlanarTransistors
通用晶体管
PNP
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准钢钉
1 = C 2 = B 3 = E
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
公元前556
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
T
j
T
S
65 V
80 V
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
公元前557
45 V
50 V
5V
500毫瓦
1
)
百毫安
150
/
C
- 55…+ 150
/
C
BC 559分之558
30 V
30 V
特性（T
j
= 25
/
C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
小信号电流增益
Stromverstärkung
输入阻抗 - Eingangsimpedanz
输出导纳 - Ausg. - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
h
FE
110...220
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
B组
200...460
C组
420...800
H-参数为 - V
CE
= 5V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 * 10
-4
（典型值） 。 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
（典型值） 。 2 * 10
-4
（典型值） 。 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
（典型值） 。 3 * 10
-4
集电极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspg 。
-V
CESAT
–
–
300毫伏
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschlußdrähte在2毫米Abstand冯Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
8
01.11.2003
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
