通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
- V
CE
= 60 V
- V
CE
= 40 V
- V
CE
= 25 V
- V
CE
= 25 V
公元前556
公元前557
公元前558
公元前559
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
f
T
C
CB0
C
EB0
公元前556 ...
公元前558
公元前559
–
–
–
–
150兆赫
–
–
- V
BE
580毫伏
- V
BESAT
–
公元前556 ...公元前559
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
660毫伏
–
–
–
–
–
–
9 pF的
马克斯。
1V
700毫伏
0.1
:
A
0.1
:
A
0.1
:
A
0.1
:
A
–
6 pF的
–
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazität
- V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A
R
G
= 2 k
S
F = 1千赫
F
F
–
–
R
THA
2分贝
1分贝
10分贝
4分贝
200多K / W
1
)
公元前546年公元前... 549
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazität
)
F = 200赫兹
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementäre PNP - Transistoren
每个类型的可用电流增益组
Lieferbare Stromverstärkungsgruppen亲典型值
BC 556A
BC 557A
BC 558A
BC 556B
BC 557B
BC 558B
BC 559B
BC 557C
BC 558C
BC 559C
1
）有效，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschlußdrähte在2毫米Abstand冯Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
01.11.2003
9
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
