BC 817W / 818W BC
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
225毫瓦
SOT-323
0.01 g
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
高峰科尔。电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
B短路
ê开放
c打开
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BC 817W
45 V
50 V
50 V
5V
225毫瓦
1
)
500毫安
千毫安
200毫安
千毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 818W
25 V
30 V
30 V
特性，T
j
= 25
/
C
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
V
CE
= 1 V，I
C
= 100毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 100毫安
BC817W
BC818W
集团-16W
集团-25W
集团-40W
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
100
40
100
160
250
Kennwerte ，T
j
= 25
/
C
典型值。
–
–
160
250
400
马克斯。
600
–
250
400
600
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
01.11.2003
8
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
