BC856W ... BC859W
BC856W ... BC859W
PNP
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2
±0.1
0.3
3
PNP
200毫瓦
SOT-323
0.01 g
版本2011-07-11
1
±0.1
1.25
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
2
1.3
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
2.1
±0.1
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC856W
BC857W
45 V
50 V
5V
200毫瓦
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC858W
BC859W
30 V
30 V
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor - 发射极Spannung B开
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
65 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 µA
A组
B组
C组
A组
B组
C组
H
FE
h
FE
h
FE
H
FE
h
FE
h
FE
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
–
125
220
420
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
140
250
480
180
290
520
75毫伏
250毫伏
马克斯。
–
–
–
250
475
800
300毫伏
650毫伏
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
- 0.5毫安
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis ≤ 2％
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
