BC856S ... BC859S
BC856S ... BC859S
PNP
表面贴装通用硅外延平面双晶体管
硅外延平面万能Doppeltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗
Verlustleistung
1.25
±0.1
PNP
300毫瓦
SOT-363
0.01 g
版本2006-08-01
2
6
±0.1
2 x 0.65
5
4
0.9
±0.1
2.1
TYPE
CODE
1
2
3
±0.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
2.4
尺寸 - 集体[MM ]
6 = C1
5 = B2
4 = E2
1 = E1
2 = B1
3 = C2
最大额定值（T
A
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor - 发射极Spannung B开
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
ê开放
c打开
- V
CBO
- V
首席执行官
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC856S
65 V
80 V
BC857S
45 V
50 V
5V
300毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BC858S
BC859S
30 V
30 V
特性（T
j
= 25°C)
每个晶体管 - 晶体管亲
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 µA
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
H-参数为/贝 - V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstärkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比 - Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
–
1.6 kΩ
18 µS
–
h
FE
h
FE
–
110
分钟。
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
90 ... 270
–
220 ... 600
–
–
1.5 ... 3*10
-4
马克斯。
–
800
–
15 kΩ
110 µS
–
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
