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BCP49 参数 Datasheet PDF下载

BCP49图片预览
型号: BCP49
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内容描述: 表面贴装硅外延PlanarTransistors [Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 131 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BCP49的Datasheet PDF文件第2页  
BCP 29日, BCP 49
NPN
达林顿晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.5 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 , 4 = C 3 = E2
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - Basisstrom ( DC )
峰值基极电流 - Basisstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
B
I
BM
T
j
T
S
7
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BCP 29
30 V
40 V
10 V
1.5 W
1
)
500毫安
800毫安
百毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCP 49
60 V
80 V
特性(T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V ,T
A
= 150
/
C
I
E
= 0, V
CB
= 60 V ,T
A
= 150
/
C
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
BCP 29
BCP 49
BCP 29
BCP 49
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
EB0
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
100 nA的
100 nA的
10
:
A
10
:
A
100 nA的
发射基截止电流 - Emitterreststrom
1
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
01.11.2003
4