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BCP53 参数 Datasheet PDF下载

BCP53图片预览
型号: BCP53
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内容描述: 表面贴装硅外延PlanarTransistors [Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 130 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BCP53的Datasheet PDF文件第2页  
BCP 51 , BCP 52 , BCP 53
PNP
通用晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.3 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 , 4 = C 3 = E
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
BCP 51
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Koll. - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
45 V
45 V
7
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BCP 52
60 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
1A
1.5 A
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCP 53
80 V
100 V
特性(T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V
I
E
= 0, - V
CB
= 30 V ,T
j
= 125
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
- I
C
= 500毫安, - 我
B
= 50毫安
- I
EB0
- V
CESAT
- I
CB0
- I
CB0
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
100 nA的
10
:
A
100 nA的
500毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspg 。
2
)
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
2
)测试与脉冲吨
p
= 300
:
S,占空比
#
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S, Schaltverhältnis
#
2%
24
01.11.2003
1