BCP54 ... BCP56
BCP54 ... BCP56
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗
Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
3.5
±0.2
NPN
1.3 W
SOT-223
0.04 g
版本2006-06-26
6.5
3
±0.2
±0.1
1.65
4
TYPE
CODE
1
0.7
2.3
2
3.25
3
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2/4 = C
3=E
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
7
±0.3
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BCP54
45 V
45 V
BCP55
60 V
60 V
5V
1.3 W
1
)
1A
1.5 A
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
BCP56
80 V
100 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 2 V，I
C
= 150毫安
所有组
集团-6
集团-10
集团-16
所有组
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
BE
25
40
63
100
25
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
–
–
–
–
–
–
100
160
250
–
0.5 V
1V
V
CE
= 2 V，I
C
= 500毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
1
2
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
