BCW60A ... BCW60D
BCW60A ... BCW60D
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-07-31
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BCW60A ... BCW60D
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 µA
2)
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
140
200
300
460
170
250
350
500
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
–
220
310
460
630
–
–
–
–
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
20
20
40
100
120
180
250
380
50
70
90
100
V
CE
= 5 V，I
C
= 2毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 50毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
