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BCW61B 参数 Datasheet PDF下载

BCW61B图片预览
型号: BCW61B
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内容描述: 表面贴装通用硅外延平面型晶体管 [Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 101 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BCW61B的Datasheet PDF文件第2页  
BCW61A ... BCW61D
BCW61A ... BCW61D
PNP
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-07-31
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BCW60A ... BCW60D
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 10 µA
2)
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
140
200
300
460
170
250
350
500
马克斯。
220
310
460
630
BCW61A
BCW61B
BCW61C
BCW61D
BCW61A
BCW61B
BCW61C
BCW61D
BCW61A
BCW61B
BCW61C
BCW61D
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
20
30
40
100
120
180
250
380
60
80
100
110
- V
CE
= 5 V , - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 1 V , - 我
C
= 50毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒,占空比
2 % - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒, Schaltverhältnis
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1