BCW 61
PNP
通用晶体管
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
0.4
3
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCW 61
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 32 V
I
E
= 0, - V
CB
= 32 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 0.25毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 1.25毫安
- I
EB0
- V
CESAT
- V
CESAT
–
60毫伏
120毫伏
- I
CB0
- I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
20 nA的
20
:
A
20 nA的
250毫伏
550毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspg 。
2
)
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhältnis
#
2%
01.11.2003
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
