BCW 65 BCW 66
NPN
通用晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
B
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCW 65
32 V
60 V
5V
250毫瓦
1
)
800毫安
千毫安
百毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCW 66
45 V
75 V
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 32 V
I
E
= 0, V
CB
= 32 V ，T
j
= 150
/
C
I
E
= 0, V
CB
= 45 V
I
E
= 0, V
CB
= 45 V ，T
j
= 150
/
C
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
BCW 65
BCW 66
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
EB0
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
20 nA的
20
:
A
20 nA的
20
:
A
20 nA的
发射基截止电流 - Emitterreststrom
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
01.11.2003
42
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
