BSP 40 ... 43 BSP
NPN
开关晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.3 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 ， 4 = C 3 = E
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
7
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BSP 40
BSP 41
BSP 42
BSP 43
80 V
90 V
5V
1.3 W
1
)
1A
2A
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
50
:
A
100 nA的
250毫伏
500毫伏
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
60 V
70 V
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25
/
C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
–
–
–
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspg 。
2
)
I
CB0
I
CB0
–
–
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhältnis
#
2%
4
01.11.2003
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
