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BSS63 参数 Datasheet PDF下载

BSS63图片预览
型号: BSS63
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内容描述: 表面贴装硅外延PlanarTransistors [Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 121 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BSS63的Datasheet PDF文件第2页  
BSS 63
PNP
开关晶体管
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
0.4
3
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BSS 63
100 V
110 V
6V
250毫瓦
1
)
百毫安
百毫安
百毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
马克斯。
100 nA的
50
:
A
100 nA的
250毫伏
900毫伏
特性(T
j
= 25
/
C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 90 V
I
E
= 0, - V
CB
= 90 V,T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 6 V
- I
C
= 25毫安, - 我
B
= 2.5毫安
- I
C
= 25毫安, - 我
B
= 2.5毫安
- I
EB0
- V
CESAT
- V
BESAT
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspg 。
1
)
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
1
)
- I
CB0
- I
CB0
1
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
01.11.2003
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