DAN403 （ 200毫瓦）
DAN403 （ 200毫瓦）
小信号二极管阵列
Diodensätze MIT Allzweckdioden
版本2008-04-15
1
9
额定功耗
Nenn - Verlustleistung
3.5
±0.2
200毫瓦
80 V
13 ×3.5× 6.6 [毫米]
0.8 g
13
±0.2
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
9针塑料外壳
9针Kunststoffgehäuse
6.6
TYPE
典型值
±0.2
Ø 0.5
重量约。
Gewicht约
标准包装散装
标准Lieferform失去IM KARTON
5
2.54
尺寸 - 集体[MM ]
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
4个独立的元素 - 4 einzelne BAUELEMENTE
最大额定值
TYPE
典型值
DAN403
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
)
80
Grenzwerte
浪涌峰值反向电压
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
1
)
80
马克斯。正向平均整流电流， R-负荷
对于一个二极管操作仅
进行同步操作
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
献给EINE einzelne二极管
贝gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
峰值正向浪涌电流， 50赫兹正弦半波
Stoßstrom献给EINE 50赫兹窦Halbwelle
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FSM
T
j
T
S
百毫安
)
50毫安
2
)
百毫安
2
)
50毫安
2
)
500毫安
-50...+150°C
-50...+150°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
1
2
每二极管 - 临二极管
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为3毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrähte在3毫米Abstand VOM Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
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©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
