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MMBT2222 参数 Datasheet PDF下载

MMBT2222图片预览
型号: MMBT2222
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内容描述: 表面贴装硅外延PlanarTransistors [Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 61 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号MMBT2222的Datasheet PDF文件第2页  
MMBT2222 , MMBT2222A
NPN
开关晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
版本2004-05-04
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBT2222
30 V
60 V
5V
250毫瓦
1
)
600毫安
150°C
- 65…+ 150°C
MMBT2222A
40 V
75 V
6V
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 50 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 50 V ,T
j
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
= 60 V ,T
j
= 150°C
I
C
= 0, V
EB
= 3 V
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
CB0
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
10 nA的
10 nA的
10 µA
10 µA
发射基截止电流 - Emitterreststrom
MMBT2222A
100 nA的
集电极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
1
)
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
MMBT2222
MMBT2222A
MMBT2222
MMBT2222A
400毫伏
300毫伏
1.6 V
1V
1
)安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
20