MMBT2907 ， MMBT2907A
PNP
开关晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflächenmontage
版本2004-05-04
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBT2907
40 V
60 V
5V
250毫瓦
1
)
600毫安
800毫安
150°C
- 65…+ 150°C
MMBT2907A
60 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 50 V
MMBT2709
MMBT2709A
- I
CB0
- I
CB0
- I
CB0
- V
CESAT
- V
CESAT
- V
BESAT
- V
BESAT
–
–
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
20 nA的
10 nA的
20 µA
400毫伏
1.6 V
1.3 V
2.6 V
I
E
= 0, - V
CB
= 50 V ，T
j
= 150°C
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sättigungsspg 。
1
)
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
1
)
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
24
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
