MMBT4403
MMBT4403
PNP
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-05-09
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EB0
P
合计
- I
C
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBT4403
40 V
40 V
5V
250毫瓦
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
-
-
-
-
-
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1毫安，
1毫安，
10毫安，
150毫安，
500毫安，
-
-
-
-
-
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
1V
1V
1V
2V
2V
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
- V
CESAT
- V
CESAT
30
60
100
100
20
60
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
300
–
500
15 kΩ
30 µS
8*10
-4
0.40 V
0.75 V
H-参数为/贝 - V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 1毫安中，f = 1千赫
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstärkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比 - Spannungsrückwirkung
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
1.5 kΩ
1 µS
0.1*10
-4
–
–
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
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©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
