MMBT5550 / MMBT5551
MMBT5550 / MMBT5551
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
硅外延平面Universaltransistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
±0.1
1.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2006-05-09
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
TYPE
CODE
1
1.9
2
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
T
j
T
S
2.5最大
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBT5550
140 V
160 V
6V
250毫瓦
1
)
600毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBT5551
160 V
180 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
I
C
= 1毫安， V
CE
= 5 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5 V
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
MMBT5550
MMBT5551
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
60
80
60
80
20
30
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
250
250
–
–
0.15 V
0.15 V
0.25 V
0.20 V
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
