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MMBTA06 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA06图片预览
型号: MMBTA06
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内容描述: 表面贴装通用硅外延平面型晶体管 [Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 108 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
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MMBTA05 / MMBTA06
MMBTA05 / MMBTA06
NPN
表面贴装通用硅外延平面型晶体管
Vielzweck硅外延平面- Transistoren献给死去Oberflächenmontage
功耗
Verlustleistung
1.3
±0.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
版本2007-06-25
1.1
2.9
±0.1
0.4
3
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体[ MM]
1=B
2=E
3=C
最大额定值(T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
基极电流 - Basisstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
I
B
I
BM
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBTA05
60 V
60 V
4V
250毫瓦
)
500毫安
百毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBTA06
80 V
80 V
T
j
T
S
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 80 V
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
集电极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
)
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
1
2
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
100 nA的
100 nA的
100 nA的
250毫伏
1.2 V
MMBTA05
MMBTA06
I
CB0
I
CB0
I
EB0
V
CESAT
V
BESAT
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag ( Lötpad )的jedem并吞
测试了脉冲TP = 300微秒,占空比≤ 2 % - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒, Schaltverhältnis ≤ 2 %
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1