MMBTA55 MMBTA56 ...
MMBTA55 MMBTA56 ...
PNP
版本2006-08-09
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
通用硅外延PlanarTransistors
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸 - 集体[MM ]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
基极电流 - Basisstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
- I
B
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBTA55
60 V
60 V
4V
250毫瓦
1
)
500毫安
百毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
MMBTA56
80 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100毫安， - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 10毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
- I
C
= 100毫安， - V
CE
= 1 V
- V
BE
–
h
FE
h
FE
- V
CESAT
100
100
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
–
–
0.25 V
1.2 V
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Lötpad ）的jedem并吞
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
