MPSA42 / MPSA43
MPSA42 / MPSA43
NPN
版本2005-06-17
功耗
Verlustleistung
ê BC
高压硅外延平面型晶体管
Hochspannungs硅外延平面Transistoren
NPN
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
9
18
2 x 2.54
尺寸/集体[ MM]
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
基极电流 - Basisstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
I
B
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MPSA42
300 V
300 V
6V
625毫瓦
1
)
500毫安
百毫安
-65...+150°C
-65…+150°C
MPSA43
200 V
200 V
T
j
T
S
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 200 V
I
E
= 0, V
CB
= 160 V
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
B
= 0, V
EB
= 6 V
I
B
= 0, V
EB
= 4 V
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
I
EB0
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
–
–
–
–
MPSA42
MPSA43
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
100 nA的
100 nA的
100 nA的
500毫伏
400毫伏
集电极饱和电压 - Kollektor - Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrähte在2毫米Abstand VOM Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲TP = 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
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1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
