MPSA55 MPSA56 ...
MPSA55 MPSA56 ...
PNP
版本2006-07-25
功耗
Verlustleistung
ê BC
通用硅外延PlanarTransistors
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
PNP
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
18
9
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EBO
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MPSA55
60 V
60 V
4V
625毫瓦
1
)
500毫安
1A
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
MPSA56
80 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
- I
C
= 10毫安， - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100毫安， - V
CE
= 1 V
- I
C
= 100毫安， - 我
B
= 10毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
2
)
- I
C
= 100毫安， - V
CE
= 1 V
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
- V
CB
= 60 V ， （E打开）
- V
CB
= 80 V， （E打开）
MPSA55
MPSA56
- I
CBO
- I
CBO
–
–
- V
BE
–
h
FE
h
FE
- V
CESAT
100
100
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
0.25 V
1.2 V
100 nA的
100 nA的
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sättigungsspg 。
2
)
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrähte在2毫米Abstand VOM Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhältnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
