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TIP125 参数 Datasheet PDF下载

TIP125图片预览
型号: TIP125
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内容描述: 硅外延PlanarTransistors [Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 50 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号TIP125的Datasheet PDF文件第2页  
TIP125 , TIP126 , TIP127
PNP
版本2004-07-01
达林顿晶体管
硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren
PNP
集电极电流 - Kollektorstrom
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
1 = B1
2 = C2
3 = E2
5A
TO-220AB
2.2 g
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
最大额定值(T
A
= 25°C)
TIP125
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
P
合计
- I
C
- I
B
T
j
T
S
60 V
60 V
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
TIP126
80 V
80 V
50 V
2 W
1
)
65 W
5A
8A
120毫安
- 65…+ 150°C
- 65…+ 150°C
TIP127
100 V
100 V
功耗 - Verlustleistung
无冷却 - 指数ohne Kühlung
与冷却 - 麻省理工学院Kühlung
T
C
= 25°C
集电极电流 - Kollektorstrom ( DC )
基极电流 - Basisstrom ( DC )
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom - 我
CM
特性(T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektorreststrom
I
B
= 0, - V
CE
= 30 V
I
B
= 0, - V
CE
= 40 V
I
B
= 0, - V
CE
= 50 V
I
E
= 0, - V
CB
= 60 V
I
E
= 0, - V
CB
= 80 V
I
E
= 0, - V
CB
= 100 V
1
Kennwerte (T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
500 nA的
500 nA的
500 nA的
200 nA的
200 nA的
200 nA的
TIP125
TIP126
TIP127
TIP125
TIP126
TIP127
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CB0
- I
CB0
- I
CB0
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
)有效,如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ,德恩死Anschlußdrähte在5毫米Abstand冯Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
1