TIP32 ... TIP32C
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 发射极截止电流 - Kollektor发射极 - Reststrom
- V
CE
= 30 V （B开）
- V
CE
= 60 V （B开）
- V
CE
= 40 V （B -E短）
- V
CE
= 60 V （B -E短）
- V
CE
= 80 V （B -E短）
- V
CE
= 100 V （B -E短）
发射基截止电流
- V
EB
= 5 V ， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
小信号电流增益 - Kleinsignal - Stromverstärkung
-
V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1千赫
- V
CE
= 10 V ， - 我
C
= 0.5 A ， F = 1兆赫
开关时间 - Schaltzeiten （10％和90％之间）
开启时间
打开-O FF时间
- I
CON
= 1 A
- I
BON
= I
B关
= 100毫安
t
on
t
关闭
R
THA
R
THC
M4
–
–
300纳秒
1 µs
< 63 K / W
1
)
< 3 K / W
9 ±10％ lb.in.
1 ±10％牛
TIP31 ... TIP31C
–
–
h
fe
h
fe
20
3
–
–
–
–
f
T
3兆赫
–
–
- I
EB0
–
–
1毫安
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
TIP32
TIP32A
TIP32B
TIP32C
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
- I
CES
- I
CES
- I
CES
- I
CES
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
300 nA的
300 nA的
300 nA的
300 nA的
200 nA的
200 nA的
200 nA的
200 nA的
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
热阻结到环境空气
Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
热阻结到外壳
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
安装受理的扭矩
Zulässiges Anzugsdrehmoment
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementäre NPN - Transistoren
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig德恩死Anschlussdrähte在5毫米Abstand VOM Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
2
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
