优势
TM
半导体
创新照明
差距: DDX - GJS
在Ta = 25℃电气特性
芯片型号
GAP
VF @如果= 20mA下
TYP 。 (V )
2.2
V
r @
I
r
= 10
µ
A
敏( V)
5
MAX 。 (V )
2.6
正向电压, Vf的测量为± 0.1 V的精度
VF分档(可选)
VF斌@ 20毫安
01
02
03
04
正向电压, Vf的测量为± 0.1 V的精度
详情请咨询销售和市场营销的特殊部件编号纳入Vf的比南。
正向电压( V)
1.55 … 1.85
1.85 … 2.15
2.15 … 2.45
2.45 … 2.75
绝对最大额定值
最大值
直流正向电流
峰值脉冲电流; ( TP ≤为10μs ,占空比= 0.005 )
反向电压
ESD Thereshold ( HBM )
LED juction温度
工作温度
储存温度
功耗(室温)
30
500
5
2
100
-40 … +100
-40 … +100
75
单位
mA
mA
V
kV
˚C
˚C
˚C
mW
4
06/09/2005 V4.0