DDO-GJS-L2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DDO-GJS-L2
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内容描述：	LED的GaP [LED GaP]
分类和应用：
文件页数/大小：	13 页 / 785 K
品牌：	DOMINANT [ DOMINANT SEMICONDUCTORS ]

优势

半导体

创新照明

差距： DDX - GJS

在Ta = 25℃电气特性

芯片型号

GAP

VF @如果= 20mA下

TYP 。（V ）

2.2

r @

= 10

敏（ V）

MAX 。（V ）

2.6

正向电压， Vf的测量为± 0.1 V的精度

VF分档（可选）

VF斌@ 20毫安

正向电压， Vf的测量为± 0.1 V的精度

详情请咨询销售和市场营销的特殊部件编号纳入Vf的比南。

正向电压（ V）

1.55 … 1.85

1.85 … 2.15

2.15 … 2.45

2.45 … 2.75

绝对最大额定值

最大值

直流正向电流

峰值脉冲电流; （ TP ≤为10μs ，占空比= 0.005 ）

反向电压

ESD Thereshold （ HBM ）

LED juction温度

工作温度

储存温度

功耗（室温）

500

100

-40 … +100

单位

˚C

06/09/2005 V4.0

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